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日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管(MOSFET)、K-N沟道场效应管(MOSFET)、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
如2SK134为N沟道MOSFET，2SJ49为P沟道MOSFET。
中国命名场效应管(MOSFET)通常有下列两种命名方法。
第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第〖Three〗、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管(MOSFET)，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。
第二种命名方法与双极型三极管相同，第一位用数字代表电极数；第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管(MOSFET)，O代表绝缘栅场效应管(MOSFET)）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。
〖One〗、平辈之间关系的远近不同称呼别人名和姓有区别，叫姓比较尊敬，叫名字比较亲近。而且姓后面常常要加さん之类的，叫名就是关系比较熟的、比较亲密的，可以直接叫、也可以在后面加くん（君）、ちゃん（通常会被翻译成“小……”的）。此外，罗马音：君=KUN小（对小孩的昵称）：qiang
〖Two〗、在级别上不同上下级之间，姓后加“さん”是用的比较广泛的一种称呼，相当于我们的某先生，说明两人间的关系比较的普通。如果关系比较的近，而且又是同辈的话，一般会直接的叫名字或他们间约定的昵称。长辈叫小辈也有直接叫名字的但一般后面要加上一个“くん（君）”（男孩）或“ちゃん”（女孩），当然也有称呼职位的比如，**课长，**部长。总之日本称呼也是繁杂多变，了解了以后一下就能从称呼中就可以大体了解他们的关系。
日本人的名字同大多国家相同，姓不变，名由亲戚赋予。由于日语汉字的读音中有将古代传来的汉字读音日语化了的音读，也有将固有日语发音与汉字含义相结合后的训读，因此，一个字有3种左右的读法，一个词也会有不同写法，甚至有些字无法直接拼读。日本名字中汉字的读法多种多样，因此，我们经常可以在日本电台听到“来信时，请务必给您的名字标上假名”的提醒，以避免错读名字。也有日本人在书写自己的名字时，只书写平假名或片假名。例如著名动画《名侦探柯南》中柯南的配音高山南，其名“南”就一直写作みなみ。
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